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第三节 非金属碳、硅、氯及其化合物 (实战演练) 高考化学一轮针对性复习方案(全国通用)(解析版).docx

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第三节 非金属碳、硅、氯及其化合物 (实战演练) 高考化学一轮针对性复习方案(全国通用)(解析版).docx

文档导读(AI 摘要)

分类:试题大全 | 涉及机构:股份有限公司 | 全文约 1,132 字

文档正文(预览部分)

学科网(北京)股份有限公司第三节 非金属碳、硅、氯及其化合物 课时作业一、选择题1.(2022·上海高三二模)芯片被誉为“现代工业粮食”,是新一代信息产业的基石。制备芯片材料高纯硅的装置如下图所示(加热及夹持装置省略),利用 SiHCl3与过量 H2在1100~1200℃反应(SiHCl3沸点为 31.8℃,遇水会强烈水解),下列说法不正确的是A.装置 B 中的试剂是浓硫酸B.实验开始时先打开装置 A 中的 K1C.装置 C 采用常温冷却水,目的是使 SiHCl3与 H2充分混合D.石英管中发生反应 SiHCl3+H2Si+3HCl【答案】C【解析】装置 A 中 Zn 与稀硫酸反应产生 H2,由于 SiHCl3遇水强烈水解,故需要对氢气进行干燥,故装置 B 中盛放浓硫酸,装置 C 采用热水浴加热,使 SiHCl3气化,与 H2形成混合气体,进入石英管中反应,高温条件下,SiHCl3被 H2

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来源:清风知己网

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