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物理高考真题:阶段过关检测(十一)热学近代物理初步-正文.docx

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物理高考真题:阶段过关检测(十一)热学近代物理初步-正文.docx

文档导读(AI 摘要)

分类:遴选试题 | 涉及机构:页北京曲一线图书策划有限公司、取得重大科 | 全文约 1,087 字

核心要点

  • 在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的。

文档正文(预览部分)

第 1 页 共 11 页北京曲一线图书策划有限公司 5 年高考 3 年模拟 A 版 物理阶段过关检测(十一) 热学 近代物理初步时间:75 分钟 满分 100 分一、单项选择题:本题共 10 小题,每小题 4 分,共 40 分。在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的。1.(2024 广东汕头一模)半导体掺杂对于半导体工业有着举足轻重的作用,其中一种技术是将掺杂源物质与硅晶体在高温(800~1 250 ℃)状态下接触,掺杂源物质的分子由于热运动渗透进硅晶体的表面,温度越高掺杂效果越显著。下列说法正确的是 ( )A.这种渗透过程是可逆的B.硅晶体具有光学上的各向同性C.这种渗透过程是分子的扩散现象D.温度越高掺杂效果越好是因为温度升高时,所有分子的热运动速率都增大2.

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来源:清风知己网

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