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碎片内容
北京交通大学学生考试试题课程名称：电力电子学（A 卷） 2005 –2006 学年 2 学期 出题：课程组（请考生注意：本试卷共有 七 道大题）题号一二三四五六七总成绩得分阅卷人一、 单选题（每题 1 分，共 10 分）1、 电力电子器件的通态压降越大，则① 通态损耗越大 ② 断态损耗越大 ③ 开关损耗越小2、 下列三种电力电子器件中的哪一种器件不易于并联？① SCR； ② IGBT；③ MOSFET3、下列功率器件中，哪种最适合于大功率、低开关频率的变换器？① SCR② IGBT③ MOSFET4、可控硅装置触发脉冲的移相范围与主电路形式、负载性质有关，对三相半波可控整流电路电感性负载来说，触发脉冲的移相范围是：① 0°~90°； ② 0°~120°； ③ 0°~150°；
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