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碎片内容
北京交通大学学生考试试题课程名称：电力电子学（B 卷） 2004 –2005 学年 2 学期 出题教师：汤钰鹏、（请考生注意：本试卷共有 七 道大题） 梁晖、修三木题号一二三四五六七总成绩得分阅卷人一、 单选题（每题 1 分，共 10 分）1、 电力电子器件的通态电阻越大，则① 通态损耗越大； ② 断态损耗越大； ③ 开关损耗越小2、 下列三种电力电子器件中的哪一种器件易于并联？①SCR； ② GTO； ③ MOSFET。3、 下列说法哪一种是正确的？
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